晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：200 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：40 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　增益带宽（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作条件不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

LMBT3908LT1G具备多项优良特性，适用于广泛的应用场景。其高频性能优异，增益带宽达到250 MHz，适合用于射频和高速开关电路。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，可以根据不同的工作电流调整电路性能，从而实现更高的灵活性。
　　该器件的低饱和电压（Vce_sat）确保在开关状态下损耗较小，从而提高整体能效。这种特性对于电池供电设备或对功耗敏感的应用尤为重要。LMBT3908LT1G的SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能稳定运行。
　　该晶体管的耐压能力也较强，集电极-发射极最大电压为30V，集电极-基极最大电压为40V，适用于中等电压级别的应用。同时，其最大功耗为300mW，能够满足大多数低功率设计的需求。此外，LMBT3908LT1G的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子等对环境温度要求较高的应用场合。

LMBT3908LT1G主要应用于通用开关电路、信号放大器、逻辑电路接口、LED驱动电路、传感器信号调理、低噪声前置放大器、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子设备等。由于其高频特性，该晶体管常用于射频前端电路、无线通信模块和数据传输系统中的信号放大和处理。此外，该器件在电源管理、电机驱动和继电器控制等领域也有广泛应用。
　　在数字电路中，LMBT3908LT1G可作为晶体管开关，用于控制负载的通断，例如LED、小型继电器或MOSFET栅极驱动。在模拟电路中，它可以作为共发射极放大器、射极跟随器或差分放大器的一部分，用于信号增强和处理。在便携式设备中，LMBT3908LT1G的低功耗特性使其成为电池供电系统的理想选择，如智能穿戴设备、手持式测试仪器和远程传感器节点。

BCX70H, MMBT3904, PN2222A, 2N3904, MMBT3908