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DSEK6006A 发布时间 时间:2025/8/5 21:27:03 查看 阅读:29

DSEK6006A 是一款由东芝(Toshiba)推出的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专门设计用于高效率电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电池管理系统。DSEK6006A采用先进的沟槽式技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,能够在高电流负载下稳定工作。其封装形式通常为表面贴装型(SOP)或TO-252(DPAK),便于在紧凑型电路板上使用。该MOSFET具备良好的耐用性和可靠性,适用于工业控制、消费类电子以及汽车电子等多个领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A(在Tc=25℃)
  功耗(Pd):100W
  导通电阻(Rds(on)):6.0mΩ(最大值,典型值可能更低)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)或类似表面贴装封装

特性

DSEK6006A 具备多项优良特性,首先其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高电源转换效率,这对于高功率密度设计尤为重要。
  其次,该器件采用了先进的沟槽式结构,提高了单位面积内的电流承载能力,从而在较小封装下实现大电流操作,增强了器件的热稳定性和散热性能。
  此外,DSEK6006A的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V或12V驱动电压,兼容多种驱动IC和控制电路。
  其封装形式为表面贴装型,适用于自动化装配工艺,降低了生产成本并提高了装配效率。
  同时,该MOSFET具备良好的雪崩能量承受能力,能够在异常工作条件下提供一定的保护作用,提高了系统的可靠性。
  最后,DSEK6006A的工作温度范围较宽,适用于严苛环境下的工业和汽车应用。

应用

DSEK6006A 广泛应用于多种电源管理与转换系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统(如BMS中的充放电控制)。
  在消费类电子产品中,它可用于电源适配器、充电器以及高功率LED驱动电路。
  在工业设备中,DSEK6006A可用于工业自动化控制、UPS不间断电源以及逆变器系统。
  此外,由于其高可靠性和耐高温性能,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动工具以及电池供电设备等。
  由于其表面贴装封装,DSEK6006A非常适合用于空间受限的设计,同时支持高电流应用。

替代型号

TKA6006A, TPC8107, SiR686DP, IRF6723N

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