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LMBT3906N3T5G 发布时间 时间:2025/8/13 11:47:52 查看 阅读:22

LMBT3906N3T5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT)。该晶体管采用 SOT-23 封装,具有高可靠性和优异的开关性能,广泛应用于低功率放大和开关电路中。该器件符合 RoHS 环保标准,适用于多种通用电子设备。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):300mW
  过渡频率(fT):250MHz
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LMBT3906N3T5G 具备多项优良特性,适用于各种通用放大和开关应用。其较高的过渡频率(fT 达到 250MHz)使得该晶体管在高频放大电路中表现出色,能够处理相对较高的频率信号。NPN 结构提供了良好的电流增益特性,在典型工作条件下,电流增益(hFE)可达到 100 以上,适合用于信号放大电路。
  该晶体管的 SOT-23 小型封装不仅节省空间,还具备良好的热稳定性,适合在紧凑型 PCB 设计中使用。最大集电极电流为 100mA,集电极-发射极击穿电压为 40V,使其能够在中等电压和低功率应用中稳定运行。功耗为 300mW,确保了在连续工作时的稳定性。
  此外,LMBT3906N3T5G 的制造工艺符合行业标准,具备高可靠性和长寿命,适用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等多种应用场合。该器件还具有良好的抗静电能力,增强了其在实际应用中的稳定性。

应用

LMBT3906N3T5G 主要用于通用开关和放大电路。例如,在数字电路中,它可以用作开关晶体管,控制 LED、继电器或小型电机的通断。在模拟电路中,该晶体管适用于音频放大器的前置放大级,提供良好的信号增益。由于其高频响应能力,LMBT3906N3T5G 也常用于射频(RF)前端放大器、信号缓冲器和振荡器电路。
  在工业控制领域,该晶体管可用于传感器信号放大和处理,例如在温度传感器、光敏传感器等信号调理电路中。消费电子产品中,如遥控器、智能玩具、小功率音频设备等,LMBT3906N3T5G 也广泛使用。此外,由于其小型封装和良好的热性能,它也被广泛应用于便携式设备和嵌入式系统中,作为逻辑电平转换或驱动小型负载的器件。
  在汽车电子方面,LMBT3906N3T5G 可用于车身控制模块(BCM)中的信号放大与开关控制,如车窗控制、灯光控制等应用。由于其工作温度范围较宽,适用于恶劣环境下的稳定运行。

替代型号

PN2222A, BC847N, 2N3904

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