LMBT3904LT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛用于通用开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装,适用于表面贴装技术,具有良好的热稳定性和高频响应。LMBT3904LT1G是工业和消费类电子产品中常用的晶体管之一,具有高可靠性和性价比。
类型:NPN双极性晶体管
集电极-发射极电压(Vce):40V
集电极-基极电压(Vcb):60V
发射极-基极电压(Veb):6V
集电极电流(Ic):200mA
功率耗散(Ptot):300mW
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-65°C至+150°C
电流增益(hFE):100至300(根据档位不同)
截止频率(fT):100MHz
LMBT3904LT1G具有以下几个显著的特性:
首先,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,根据不同的档位可提供100至300的增益值,适用于多种放大和开关应用。其高频响应可达100MHz,适合高频放大器设计。
其次,该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合在空间受限的电路板上使用。同时,该封装支持表面贴装工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。
此外,LMBT3904LT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C,具有良好的热稳定性,能够在较宽的环境温度下稳定工作,适用于工业级应用。
在可靠性方面,该晶体管具有较高的击穿电压和良好的热保护性能,能够在较严苛的电气环境中保持稳定运行。其最大集电极电流为200mA,适用于中等功率的开关控制。
最后,LMBT3904LT1G与标准的3904系列晶体管兼容,便于设计人员在已有电路中进行替换和升级。
LMBT3904LT1G 主要应用于以下几个方面:
在通用开关电路中,该晶体管可用于控制继电器、LED、小型电机等负载,适用于自动化控制和消费电子产品。
在放大电路中,LMBT3904LT1G适用于音频前置放大、射频放大以及传感器信号放大等场景,能够提供良好的增益和频率响应。
由于其高频特性,该器件常用于射频模块、无线通信设备中的信号放大和调制电路。
在数字电路中,LMBT3904LT1G可以作为逻辑电平转换器或缓冲器,实现不同电压域之间的信号隔离和驱动。
此外,该晶体管也广泛用于工业控制系统的传感器接口电路、电源管理模块以及电池供电设备中的低功耗控制电路。
MMBT3904LT1, 2N3904, BC817, PN2222A