晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：60V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　最大集电极电流（IC）：200mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：在IC=2mA时为100至300（根据等级不同）

LMBT3904DWT1G晶体管具有优异的开关性能和高频响应能力，适用于数字和模拟电路中的通用放大和开关应用。
　　其SOT-323封装形式节省空间，便于在高密度PCB设计中使用，并支持表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。
　　该晶体管具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
　　此外，LMBT3904DWT1G的高击穿电压特性使其适用于多种电源管理和信号处理电路。
　　它还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于减少功耗和提高能效。
　　该器件符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统的应用。

LMBT3904DWT1G晶体管广泛应用于以下领域：
　　1. 通用开关电路：用于控制LED、继电器、小型电机等负载。
　　2. 放大器电路：作为前置放大器或驱动放大器，用于音频和射频信号处理。
　　3. 逻辑电路接口：在数字电路中用于信号转换和电平调整。
　　4. 传感器接口电路：用于放大和处理传感器输出的微弱信号。
　　5. 电源管理电路：在DC-DC转换器和稳压器中作为开关元件。
　　6. 汽车电子系统：如车载控制模块、传感器接口和照明控制系统。
　　7. 消费类电子产品：包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。

MMBT3904, BCX7066, 2N3904, PN2222A