LMBT2907ADWT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件专为高频、低功率应用设计,广泛用于射频(RF)放大器、开关电路和模拟电路中。这款晶体管采用SOT-23(小外形晶体管)封装,适合表面贴装技术(SMT),并且符合RoHS环保标准。
类型:PNP型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):40V
最大集电极电流(IC):200mA
最大功耗(PD):300mW
最大工作温度:150°C
电流增益(hFE):在2mA集电极电流下,典型值为80-300
频率响应:250MHz(典型值)
封装类型:SOT-23
LMBT2907ADWT1G 晶体管具有出色的高频性能,适用于射频和中频放大器电路。其PNP结构使其在负电压偏置下工作良好,适合用于推挽放大器和开关电路。该器件的电流增益范围宽,能够在不同工作条件下提供稳定的放大性能。此外,SOT-23封装设计使得该晶体管在PCB布局中占用空间小,便于自动化生产与安装。
其高频率响应能力使其适用于数据通信、无线通信、音频放大和信号处理等应用。由于其低功耗特性,LMBT2907ADWT1G 也适用于电池供电设备和便携式电子产品。该晶体管具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下保持稳定运行。
安森美半导体为该器件提供了详尽的数据手册,包括电气特性、极限参数、热阻参数和测试条件,便于工程师在设计过程中进行精确的电路分析和验证。
LMBT2907ADWT1G 主要应用于射频放大器、音频放大器、开关电路、振荡器、混频器以及各种模拟和数字电路中。它常用于通信设备、工业控制系统、测试测量仪器、音频设备和消费类电子产品中。该晶体管特别适合需要高频响应和低功耗特性的设计场景。
BCX56-10, 2N3906, PN2907