时间：2025/8/13 19:08:15
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LMBR350FT1G是一款由ON Semiconductor生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），具有低正向电压降和快速开关特性，适用于高效率的功率转换应用。该器件采用先进的封装技术，确保在高电流条件下仍能保持良好的热性能和稳定性。
最大重复峰值反向电压：40V
最大平均正向电流：3.0A
峰值正向电流：150A
正向电压降（IF=3A时）：0.55V（最大）
反向漏电流（VR=40V时）：0.1mA（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
LMBR350FT1G的内部结构采用了先进的肖特基势垒技术，使得该二极管在高频开关应用中表现出色，同时具备较低的导通损耗和快速的恢复时间。其低正向电压降特性可以有效减少能量损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的封装设计具有良好的散热性能，能够承受较高的电流负载而不至于过热损坏。在制造过程中，ON Semiconductor采用了高质量的材料和严格的工艺控制，确保了器件的长期可靠性和稳定性。
该二极管还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，在恶劣的工作环境下依然能够保持稳定的工作状态。由于其优异的电气性能和机械性能，LMBR350FT1G被广泛应用于各种电源转换设备中，如DC/DC转换器、AC/DC电源适配器、电池充电器以及各种高频整流电路中。
LMBR350FT1G主要用于需要高效率和快速开关响应的电源系统中，例如在DC/DC转换器中作为输出整流器使用，在AC/DC电源适配器中用于次级整流，在电池充电器中用于整流和反向保护。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、LED照明驱动电源、汽车电子系统以及其他需要高效能功率二极管的应用场景。
MBRS340T3G, SB340, 1N5819
