LMBR330FT1G是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的表面贴装肖特基势垒整流器。这款整流器专为高效率和低正向压降而设计,适用于各种高频率开关电源应用。LMBR330FT1G采用了先进的肖特基二极管技术,提供了优异的热性能和电气性能。
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大正向整流电流(IF(AV)):3A
最大正向压降(VF):0.45V(典型值)
最大反向漏电流(IR):100μA(最大值)
工作温度范围:-55°C至+125°C
存储温度范围:-65°C至+150°C
封装类型:表面贴装(SMB Flat Leads)
LMBR330FT1G的主要特性之一是其低正向压降,这有助于提高整流效率并减少功率损耗。该器件的典型正向压降仅为0.45V,这使得它在高电流应用中表现优异。此外,LMBR330FT1G具有快速的开关特性,能够适应高频开关环境,减少开关损耗并提高系统效率。
该整流器采用表面贴装封装,适合自动化生产和焊接工艺,同时具备良好的散热性能,确保在高负载条件下稳定运行。LMBR330FT1G的工作温度范围为-55°C至+125°C,能够在极端环境下可靠工作,适用于各种工业和消费类电子设备。
其反向漏电流非常低,最大值为100μA,这有助于减少在高阻断电压下的能量损耗。这种特性使得LMBR330FT1G在高温条件下也能保持良好的性能。此外,该器件的封装设计有助于提高机械强度和耐久性,确保长期使用的可靠性。
LMBR330FT1G广泛应用于开关电源(SMPS)中,作为整流器使用,能够有效提高电源转换效率并减少热量产生。该器件也适用于DC-DC转换器、电池充电器、负载保护电路以及各种高频率开关电路。
在通信设备中,LMBR330FT1G可以用于电源管理模块,提供高效的能量转换和稳定的输出电压。此外,该器件还适用于消费类电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路,确保快速充电和高效能运行。
由于其优异的热性能和电气性能,LMBR330FT1G也被广泛用于工业控制设备、LED照明驱动器和汽车电子系统中,提供可靠的整流功能。
MBRS330T3G, SR330, 1N5819