最大重复峰值反向电压（VRRM）：80V
　　正向电流（IF）：1A
　　峰值正向电流（IFSM）：30A
　　正向电压降（VF）：0.35V（典型值）
　　反向漏电流（IR）：5uA（最大值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOD-123

LMBR180ET1G的主要特性包括低正向电压降，有助于提高能效并减少热损耗。其快速恢复时间确保在高频应用中表现出色，例如开关电源和DC-DC转换器。该器件的SOD-123封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产，同时具有良好的散热性能。此外，LMBR180ET1G的工作温度范围较宽，可在严苛环境下稳定运行。
　　LMBR180ET1G的可靠性较高，符合RoHS环保标准，并且具备出色的抗静电能力，适用于多种工业和消费类电子产品。其小型化设计使得在高密度PCB布局中能够有效节省空间，同时维持高性能表现。
　　该器件的制造工艺采用了先进的半导体技术，确保在长时间使用中保持稳定的电气性能。其低漏电流特性减少了不必要的能量损耗，同时降低了电路设计的复杂性。

LMBR180ET1G广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电池充电器、反向电流保护电路、高频整流电路以及便携式电子设备。其小巧的封装形式使其非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等对空间要求较高的设备中。
　　在工业自动化和控制系统中，LMBR180ET1G常用于整流和保护电路，以确保系统在高频率和高效率下运行。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、LED照明驱动电路以及各类开关电源设计。
　　由于其优异的电气性能和宽泛的工作温度范围，LMBR180ET1G在汽车电子领域也有广泛应用，例如车载充电器、车载信息娱乐系统和车身控制模块等。

LMBR160V1G、MBRS180、SS14、1N5819