LMBR160T1G 时间：2025/8/14 2:41:21 阅读：21

LMBR160T1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基势垒整流器，采用单个二极管配置。该器件设计用于高效率、高频开关应用，提供快速的开关性能和低正向压降。LMBR160T1G适用于各种电源管理和转换应用，包括DC-DC转换器、续流二极管和反向电压保护电路。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms，单个半正弦波）
　　最大正向压降（VF）：0.42V（在1.0A时）
　　最大反向漏电流（IR）：10μA（在60V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123

特性

LMBR160T1G 的核心特性在于其低正向压降（VF）和高浪涌电流承受能力。该器件的正向压降在1.0A电流下仅为0.42V左右，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。
　　此外，该肖特基二极管具备高达30A的峰值正向浪涌电流能力，使其能够在电源启动或瞬态条件下保持稳定运行。
　　LMBR160T1G 采用SOD-123封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。这种封装形式支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和回流焊工艺。
　　其工作温度范围为-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业级和汽车级应用场景。
　　由于肖特基二极管的天然特性，LMBR160T1G具有极快的恢复时间，适用于高频整流和开关应用，如DC-DC转换器、同步整流、续流二极管等。
　　器件还具备较低的反向漏电流（最大10μA在60V时），有助于提高系统稳定性和减少静态功耗。

应用

LMBR160T1G 主要用于需要高效能和高频开关特性的电路中。典型应用包括DC-DC转换器中的续流或整流二极管、负载开关、电池充电电路、反向电压保护电路等。
　　在电源管理模块中，该器件可以用于降低导通损耗并提高转换效率，特别是在低电压、中等电流的场合下表现优异。
　　在工业自动化设备和消费类电子产品中，LMBR160T1G 常用于为微处理器或FPGA供电的DC-DC模块中，作为整流或隔离元件。
　　由于其优良的浪涌电流承受能力，也适用于需要瞬态保护的应用，例如电源适配器、LED驱动器和电机控制电路。
　　此外，该器件也可用于汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块和仪表盘电源管理单元。