IRF7329是一款由Infineon(英飞凌)推出的双N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其设计旨在提高效率并减少功率损耗。
IRF7329的两个MOSFET单元对称排列,能够支持大电流处理能力,并且具备良好的热性能表现。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:65A(单个MOSFET为32.5A)
导通电阻:1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:88nC(典型值)
总热阻(结到壳):0.2°C/W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TOLL
IRF7329具有非常低的导通电阻,这使其在高电流应用中表现出色,同时能够有效降低功率损耗。此外,它还拥有较高的电流承载能力和快速的开关速度,这对于需要高效能转换的应用来说非常重要。
另外,该器件采用了先进的封装技术,增强了散热性能,使得其能够在较宽的温度范围内稳定运行。IRF7329的对称结构设计也方便了多相位电路的设计与布局。
其主要优点包括:
- 极低的导通电阻以减少传导损耗。
- 高额定电流以适应大功率需求。
- 快速开关特性,适合高频操作。
- 良好的热管理能力。
- 小巧紧凑的封装尺寸,有助于节省PCB空间。
IRF7329广泛应用于多种功率电子场景中,例如:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动控制
- 电池管理系统(BMS)
- 工业自动化设备中的功率转换模块
- 新能源汽车相关应用如车载充电器和逆变器
- 高效能计算设备的供电解决方案
由于其优异的电气特性和可靠性,IRF7329成为许多高性能功率转换系统中的首选元件。
IRF7319, IRFH7329TRPBF