IRF7329 时间：2025/6/6 12:29:47 阅读：22

IRF7329是一款由Infineon（英飞凌）推出的双N沟道增强型MOSFET晶体管，采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。其设计旨在提高效率并减少功率损耗。
　　IRF7329的两个MOSFET单元对称排列，能够支持大电流处理能力，并且具备良好的热性能表现。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：65A（单个MOSFET为32.5A）
　　导通电阻：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：88nC（典型值）
　　总热阻（结到壳）：0.2°C/W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TOLL

特性

IRF7329具有非常低的导通电阻，这使其在高电流应用中表现出色，同时能够有效降低功率损耗。此外，它还拥有较高的电流承载能力和快速的开关速度，这对于需要高效能转换的应用来说非常重要。
　　另外，该器件采用了先进的封装技术，增强了散热性能，使得其能够在较宽的温度范围内稳定运行。IRF7329的对称结构设计也方便了多相位电路的设计与布局。
　　其主要优点包括：
　　- 极低的导通电阻以减少传导损耗。
　　- 高额定电流以适应大功率需求。
　　- 快速开关特性，适合高频操作。
　　- 良好的热管理能力。
　　- 小巧紧凑的封装尺寸，有助于节省PCB空间。

应用

IRF7329广泛应用于多种功率电子场景中，例如：
　　- 开关模式电源（SMPS）
　　- DC-DC转换器
　　- 电机驱动控制
　　- 电池管理系统（BMS）
　　- 工业自动化设备中的功率转换模块
　　- 新能源汽车相关应用如车载充电器和逆变器
　　- 高效能计算设备的供电解决方案
　　由于其优异的电气特性和可靠性，IRF7329成为许多高性能功率转换系统中的首选元件。