LMBR160ET1G 时间：2025/7/18 19:08:41 阅读：9

LMBR160ET1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基二极管，广泛用于各种电源管理和转换应用。该器件具有低正向电压降、高浪涌电流能力和快速恢复时间，适用于高效能电源系统。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：0.35V（典型值）
　　最大反向漏电流（IR）：20μA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　封装形式：SOD-123

特性

LMBR160ET1G 的主要特性之一是其低正向压降，这有助于提高电源转换效率并减少热耗散。该器件采用肖特基势垒结构，使其具备快速恢复时间，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，LMBR160ET1G 具有较高的浪涌电流承受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这使其在需要应对突发负载或启动电流较大的应用中表现出色。
　　该器件采用SOD-123封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺和环保要求较高的应用场合。
　　在热管理方面，LMBR160ET1G 的设计能够有效散热，确保在较高工作电流下仍能保持稳定运行。其工作温度范围宽，适用于工业级和汽车电子等严苛环境的应用。

应用

LMBR160ET1G 被广泛应用于各类电源系统，如AC/DC和DC/DC转换器、电源适配器、电池充电器以及负载开关控制电路。其快速恢复特性和低正向压降使其成为高效能电源管理方案的理想选择。
　　在汽车电子领域，LMBR160ET1G 常用于车载充电系统、DC-DC转换器和LED照明驱动电路。由于其宽工作温度范围和高可靠性，非常适合在汽车环境中使用。
　　此外，该器件也适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。其小型封装和高效率特性满足了便携设备对空间和能效的严格要求。
　　工业控制系统中，LMBR160ET1G 可用于变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS）等设备中，提供稳定可靠的整流和保护功能。