时间：2025/8/13 5:00:03
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LMBR120SFT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的表面贴装肖特基二极管，采用先进的硅技术，具有低正向压降和快速开关特性。该器件适用于高效率的功率转换应用，如DC-DC转换器、整流器和电池充电器等。LMBR120SFT1G采用紧凑的SMB（Surface Mount Box）封装，适合高密度PCB设计，同时具备良好的热性能和可靠性。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
最大平均整流电流（IF(AV)）：1.0A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：40A
正向压降（VF）：0.35V（典型值）
反向漏电流（IR）：10μA（最大值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
LMBR120SFT1G肖特基二极管具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低正向压降（典型值0.35V）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这对于需要高效能运作的电源转换器和电池管理系统尤为重要。其次，该器件具备快速恢复时间，确保在高频开关应用中保持稳定的性能，减少开关损耗。
此外，LMBR120SFT1G采用了表面贴装封装技术，不仅节省了PCB空间，还提高了自动化生产效率。SMB封装具备良好的热管理能力，能够在高负载条件下维持稳定的工作温度，确保长期运行的可靠性。
在可靠性方面，该二极管通过了AEC-Q101汽车电子标准认证，适用于对质量和稳定性要求较高的汽车电子系统。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其在极端环境条件下依然能够稳定工作，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域。
LMBR120SFT1G广泛应用于各类电子设备和系统中，特别是在需要高效率和紧凑设计的场合。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统、便携式电子产品以及汽车电子模块。此外，该器件还可用于电源适配器、LED驱动器和电机控制电路中，以提高系统整体能效和可靠性。
MBRS120LT1G, 1N5819WS, RB051L-40, LMBR120VFT2G
