LMBR120LSFT1G 时间：2025/8/14 2:35:37 阅读：22

LMBR120LSFT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基二极管，采用紧凑型PowerCSP封装，适用于高效能电源管理应用。该器件具有低正向压降、高浪涌电流能力和快速开关特性，适合用于便携式设备、DC-DC转换器和电池供电系统等场景。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　正向电流（IF）：1A
　　正向压降（VF）：0.32V @ 1A
　　反向漏电流（IR）：100μA @ 20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerCSP

特性

LMBR120LSFT1G 的核心优势在于其低正向压降（VF），在1A电流下仅为0.32V，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件具有优异的热性能，得益于其紧凑的PowerCSP封装设计，能够有效地将热量从芯片传导到PCB上，从而保持较低的工作温度。其快速开关特性减少了开关损耗，使得该器件适用于高频开关应用。
　　另一个关键特性是其高浪涌电流能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏，这使得LMBR120LSFT1G适用于具有高启动电流或瞬态负载的电路设计中。该器件还具有较低的寄生电感和电容，有助于减少高频工作下的电磁干扰（EMI）问题。
　　由于其表面贴装封装形式，LMBR120LSFT1G 可以方便地集成到现代高密度PCB设计中，并支持自动化的SMT组装工艺，降低了生产成本并提高了产品的一致性和可靠性。

应用

LMBR120LSFT1G 主要应用于便携式电子设备、移动电源、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关、OR-ing电路、反向极性保护电路以及各类低电压高效率电源转换系统。在移动设备中，该器件常用于提升电源转换效率并延长电池续航时间。在工业控制系统中，它可用于实现高可靠性的电源管理解决方案。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器和电池管理系统，该肖特基二极管也能提供稳定的性能表现。