您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LMBR1100FT1G

LMBR1100FT1G 发布时间 时间:2025/8/14 2:30:28 查看 阅读:19

LMBR1100FT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装肖特基二极管,适用于高效能电源转换和整流应用。该器件采用紧凑的SOD-123FL封装,适用于空间受限的设计。

参数

最大正向电流:1A
  峰值反向电压:100V
  正向压降:最大0.35V @ 1A
  反向漏电流:最大5uA @ 100V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-65°C至+150°C

特性

LMBR1100FT1G以其低正向压降和快速恢复时间而闻名,这使得它在开关电源、DC-DC转换器以及逆变器等应用中表现出色。低正向压降减少了能量损耗,提高了整体效率。此外,该二极管具有优异的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。
  由于其SOD-123FL封装的小巧尺寸,LMBR1100FT1G非常适合高密度电路板设计,同时保持良好的散热性能。该器件还具有较低的电容特性,有助于减少高频应用中的开关损耗。
  在可靠性方面,LMBR1100FT1G通过了严格的工业标准测试,确保在各种工作条件下的稳定性和长寿命。其封装材料符合RoHS环保标准,适用于绿色电子设计。

应用

LMBR1100FT1G广泛应用于电源管理、电池充电器、DC-DC转换器、太阳能逆变器、汽车电子系统以及工业控制设备。它还适用于需要高效能和高可靠性的便携式设备和消费类电子产品。

替代型号

LMBR1100, MBRS1100, 1N5819

LMBR1100FT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价