LMBR10100G 是由安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款肖特基二极管,主要用于高频率、高效能的电源转换应用。该器件采用了先进的平面肖特基势垒整流器技术,具有低正向电压降、快速开关特性和高浪涌电流能力。LMBR10100G 采用紧凑的 DO-214AA(SMB)封装形式,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、续流二极管和逆变器应用。其额定电流为10A,最大反向电压为100V,适合需要高效整流和功率管理的电路设计。
最大反向电压(VRRM):100V
平均整流电流(IF(AV)):10A
峰值正向电流(IFSM):100A(@8.3ms正弦波)
正向压降(VF):0.33V(典型值,@IF=10A)
漏电流(IR):100μA(@VR=100V,25℃)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:DO-214AA(SMB)
LMBR10100G 的核心特性之一是其极低的正向电压降(VF),在10A的工作电流下仅0.33V(典型值),这显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。这种特性对于高频开关电源和DC-DC转换器尤为重要,因为它有助于减少发热,提高能量转换效率。
此外,LMBR10100G 具备优异的反向恢复时间(trr)特性,能够在高频工作条件下快速关闭,减少开关损耗,并降低电磁干扰(EMI)。这种快速恢复能力使其在高频率整流应用中表现出色,适用于如PFC(功率因数校正)电路、同步整流和逆变器拓扑。
该器件的DO-214AA(SMB)封装不仅提供了良好的散热性能,还具备较高的机械强度和焊接可靠性,适合在各种工业环境和电源模块中使用。封装尺寸紧凑,有利于节省PCB空间,提高系统集成度。
另一个重要特性是其高浪涌电流承受能力,可承受高达100A的峰值电流,适用于可能遭遇瞬态过载或启动电流冲击的应用场景。例如,在电机驱动、LED驱动和电源适配器中,LMBR10100G 可以有效防止因浪涌电流引起的损坏,提高系统的稳定性和寿命。
LMBR10100G 广泛应用于各种高效率电源转换系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流模块、PFC(功率因数校正)电路、不间断电源(UPS)、逆变器、LED照明驱动器以及工业自动化电源系统。
在开关电源中,LMBR10100G 作为输出整流器或续流二极管,用于降低导通损耗并提高转换效率。在PFC电路中,它可用于辅助整流或作为输出整流器,提高整体功率因数和能效。
由于其高浪涌电流能力和快速恢复特性,LMBR10100G 还适合用于电机控制和电源管理系统中的续流和反向电压保护。此外,在太阳能逆变器和储能系统中,该器件可用于提高直流侧整流效率,确保系统稳定运行。
LMBR10100CT, LMBR10H100RC, LMBR10H100RRC, SB10100G