类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压：30V
　　最大平均正向电流：0.5A
　　正向压降（IF=0.5A时）：≤0.425V（典型值约0.35V）
　　反向漏电流（VR=30V时）：≤0.5mA（典型值远低于此值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123（LMBR0530T1G）或SOT-23（MBR0530T1G）

LMBR0530T1G/MBR0530T1G具有多项优良特性，使其在低压整流和开关电源应用中表现出色。首先，其低正向压降特性（通常低于0.35V）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。这对于电池供电设备和节能型电源系统尤为重要。
　　其次，该器件具有极快的开关速度，几乎无反向恢复时间（trr非常短），这使得它非常适合用于高频开关电路中，如DC-DC转换器和同步整流拓扑。由于肖特基二极管的载流子存储效应极小，因此在开关过程中几乎没有能量损耗，进一步提升了效率。
　　此外，LMBR0530T1G/MBR0530T1G采用了小型表面贴装封装（如SOD-123或SOT-23），有利于节省PCB空间并简化自动化生产流程。这种封装形式也具有良好的热性能，可在高密度电路设计中稳定工作。
　　该器件的可靠性也非常高，符合工业级工作温度范围（-55°C至+150°C），能够在各种严苛环境下稳定运行。其反向漏电流控制在极低水平（通常小于0.1mA），在高温环境下也能保持良好的性能。

LMBR0530T1G/MBR0530T1G广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效、低压整流的场合。典型应用包括便携式电子设备的电源管理模块、DC-DC转换器中的续流二极管、负载开关、逆变器、电源适配器、电池充电电路等。
　　在同步整流拓扑中，该器件可作为辅助整流元件，与MOSFET配合使用，以提高转换效率。由于其快速开关特性，也常用于高频整流和脉冲整流电路中。
　　此外，LMBR0530T1G/MBR0530T1G还可用于极性保护电路，防止电源反接损坏后级电路，尤其适用于USB电源、移动电源、智能穿戴设备等低电压系统。

MBR0540T1G, LMBR1530T1G, 1N5819, SS14