时间：2025/8/13 22:10:58
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LMBR0520ET1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装肖特基二极管。该器件主要用于需要高效能和低电压降的应用场合，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和整流电路等场景。LMBR0520ET1G采用先进的肖特基势垒二极管技术，具备低正向压降和快速开关特性，使其在高频应用中表现出色。
最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
最大正向电流（IF）：5.0A
正向压降（VF）：0.37V（典型值，IF=5A时）
最大反向漏电流（IR）：0.5mA（最大值，VR=20V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
安装类型：表面贴装
LMBR0520ET1G具有多项突出的电气和机械特性，适用于各种高效率电源应用。首先，该器件采用肖特基势垒结构，使其具备极低的正向压降（典型值为0.37V），从而显著降低功率损耗并提高系统效率。这在高电流应用中尤为重要，有助于减少发热并提高整体系统的热稳定性。
其次，LMBR0520ET1G的快速开关特性使其适用于高频开关电路，减少了开关损耗并提高了响应速度。这使得它在DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用中表现出色。
此外，该器件采用TO-252（DPAK）封装，体积小巧且易于安装，适合现代电子产品对空间紧凑性的要求。封装材料具有良好的热导性和机械强度，确保在高电流和高温环境下稳定运行。
其宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使得LMBR0520ET1G适用于各种恶劣环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电子产品。同时，其高达20V的反向耐压能力使其在多种低压系统中具有广泛的适用性。
LMBR0520ET1G广泛应用于需要高效能、低电压降和快速开关特性的电子系统中。在电源管理系统中，它常用于电池供电设备的整流和反向电流保护，如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备。在DC-DC转换器中，该肖特基二极管可作为同步整流器或续流二极管使用，提高转换效率并降低功耗。
此外，LMBR0520ET1G也适用于负载开关电路，用于控制电源路径和防止电流倒灌。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、LED照明驱动和车身控制模块等应用。由于其高频响应特性，它也可用于电源适配器和开关电源（SMPS）中的次级整流电路。
在工业控制和自动化系统中，LMBR0520ET1G可用于PLC电源模块、电机驱动电路和传感器供电系统。其优异的热性能和稳定性使其在高温环境下依然可靠，满足工业级应用的严格要求。
SB520, MBRS3HAG, 1N5819WS, MBR0520
