IN4750是一款常见的齐纳二极管,主要用于电压稳压和参考电压的应用中。它具有特定的反向击穿电压,能够在电路中提供稳定的电压输出。该器件广泛应用于电源电路、信号处理电路以及其他需要精确电压控制的场景。
齐纳二极管的工作原理是通过其反向击穿特性来实现稳压功能。当施加在齐纳二极管上的反向电压达到其额定击穿电压时,电流将迅速增加,但二极管两端的电压保持相对稳定。这种特性使得IN4750非常适合用作电压基准元件。
型号:IN4750
类型:齐纳二极管
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
功耗:1W(最大)
正向电流(IF):5mA(典型值)
反向击穿电压(VZ):5.1V(±5%)
封装形式:DO-35 (玻璃封装)
正向电压降(VF):约0.7V
反向漏电流(IR):≤5μA(在25°C下,电压为5V时)
IN4750的反向击穿电压为5.1V,适用于低电压稳压场景。
它的玻璃封装提供了良好的热性能和电气隔离性能,从而提高了可靠性。
该器件的反向漏电流非常低,确保了在待机或低功耗模式下的效率。
由于其较小的封装尺寸,IN4750可以轻松集成到紧凑型设计中。
齐纳二极管对环境温度的变化较为敏感,因此在高精度应用中可能需要进行温度补偿。
IN4750主要应用于需要简单且经济高效的稳压解决方案的场合,例如:
1. 电源电路中的稳压模块。
2. 参考电压生成器,用于模拟电路和数字电路。
3. 过压保护电路,防止瞬态电压损坏敏感元件。
4. 简单的电压调节电路,例如为传感器供电。
5. 在音频设备中用于偏置电压的生成。
6. 工业自动化系统中的电压基准源。
IN5750
BZX84-C5V1
1N4750A