类型：小信号二极管
　　最大正向电流（IF）：200 mA
　　峰值反向电压（VR）：100 V
　　最大正向压降（VF）：1.0 V（在10 mA条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA（在100 V条件下）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123（SMT封装）
　　恢复时间（trr）：4 ns（典型值）
　　功率耗散：300 mW

LMBD914LT1G具备快速恢复时间（trr典型值为4 ns），这使其特别适用于高频开关应用。该器件的正向压降较低，通常在1.0 V以下，有助于降低功耗并提高能效。此外，该二极管的反向漏电流非常小，通常在5 μA以下，即使在高反向电压下也能保持良好的稳定性。
　　该器件的SOD-123封装提供了良好的热性能和机械稳定性，同时节省了PCB空间。LMBD914LT1G的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，能够适应各种恶劣环境下的工作条件。此外，该二极管符合RoHS标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。
　　由于其高速特性，LMBD914LT1G广泛用于数字逻辑电路、脉冲电路、采样保持电路、保护电路以及各种通用开关应用。其紧凑的封装和高性能参数也使其成为替代传统通孔插装二极管的理想选择。

LMBD914LT1G常用于需要高速开关特性的电路中，如电源管理电路、DC-DC转换器、LED驱动电路、继电器驱动电路、数字逻辑门电路、采样保持电路以及信号处理电路。此外，该器件也常用于嵌入式系统中的电压钳位和反向电压保护电路。
　　在通信设备中，LMBD914LT1G可用于高频信号整流和检测电路。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件用于电源切换、电池保护和信号处理等关键功能。由于其低功耗和高速性能，该二极管也广泛应用于工业控制和自动化设备中。

1N914BTR-ND, LL101A-TP, BAS16