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BUL44D2 发布时间 时间:2025/9/3 12:46:58 查看 阅读:8

BUL44D2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET,主要用于高电压和高电流应用,例如电源转换、电机控制和工业自动化系统。该器件采用TO-220AB封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合在高效率电源设计中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):14A
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.55Ω @ VGS=10V
  功率耗散(PD):125W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220AB

特性

BUL44D2具有优异的导通性能和快速开关特性,能够在高压和高电流条件下保持较低的导通损耗,提高整体系统的效率。
  该MOSFET内置了良好的热保护能力,确保在高负载情况下依然保持稳定运行。
  此外,BUL44D2的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计,并具有较高的抗干扰能力和可靠性。
  由于其低阈值电压和高增益特性,BUL44D2可以在较低的控制电压下实现高效的导通控制,适用于多种开关电源和DC-DC转换器应用。
  器件还具备较强的抗雪崩击穿能力,提高了在高能脉冲环境下的耐用性和稳定性。

应用

BUL44D2广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-AC逆变器、电机驱动器和工业控制系统。
  它也常用于高电压直流电机控制、LED照明驱动电源以及光伏逆变器等需要高效能功率开关的场合。
  在电源管理模块中,BUL44D2可用于构建高效率的同步整流电路,显著降低能量损耗,提高整体系统效率。
  此外,该器件也适用于高频电源转换器和高功率LED照明系统,在这些应用中提供稳定的开关性能和可靠的热管理方案。

替代型号

STP12NM60ND, FQA16N60C, IRFBC40

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