您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LMBD7000LT1G/MMBD7000LT

LMBD7000LT1G/MMBD7000LT 发布时间 时间:2025/8/13 1:35:35 查看 阅读:21

LMBD7000LT1G 和 MMBD7000LT 是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极性高速开关二极管阵列。它们广泛用于高频开关应用,如信号整流、电压钳位和逻辑电平转换。这些器件采用SOT-23封装,适合高密度PCB布局。LMBD7000LT1G与MMBD7000LT在电气性能上基本相同,主要区别在于包装形式。

参数

类型:双极性高速开关二极管
  最大重复反向电压(Vrrm):70V
  峰值正向电流(Ifsm):500mA
  正向电压(If = 10mA时):1.2V(最大)
  反向漏电流(Vr = 70V时):100nA(最大)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

LMBD7000LT1G/MMBD7000LT 具备优异的开关性能和低正向电压降,使其在高频应用中表现出色。其最大重复反向电压为70V,适用于多种电源和信号处理电路。该器件的正向电压在10mA电流下不超过1.2V,确保了较低的功耗和较高的效率。同时,反向漏电流在70V条件下最大仅为100nA,保证了在高阻断电压下的稳定性。
  此外,LMBD7000LT1G/MMBD7000LT 采用SOT-23封装,便于表面贴装,适用于自动化生产流程。这种封装也具有良好的热性能,有助于器件在高电流操作时保持稳定。该系列二极管的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业和汽车电子等宽温环境应用。
  由于其双极性结构,LMBD7000LT1G/MMBD7000LT 可以实现双向信号控制,适用于模拟开关、逻辑电平转换和电压钳位等多种应用场景。同时,其高峰值电流能力(500mA)使其能够承受瞬态过载,提高系统可靠性。

应用

LMBD7000LT1G/MMBD7000LT 主要应用于高频开关电路、信号整流、电压钳位保护电路、逻辑电平转换器、模拟开关电路以及汽车电子和工业控制系统中的电源管理部分。由于其低正向压降和高开关速度,特别适合用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统。此外,它们也常用于通信设备中的射频信号处理和隔离电路。

替代型号

BAV99, 1N4148WS, MMBD3100

LMBD7000LT1G/MMBD7000LT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价