LMBD2838LT1H 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用紧凑的SOD-523封装形式,适用于各种高频、低功耗应用。该器件具有快速开关特性,适合用于电源管理、整流、电压钳位和信号检测等电路中。LMBD2838LT1H 的设计使其在高频应用中表现出色,同时具备较低的正向压降和较高的效率。
最大重复峰值反向电压(VRRM):30V
最大正向电流(IF):300mA
峰值浪涌电流(IFSM):1.25A
正向压降(VF):0.35V(在150mA时)
反向漏电流(IR):100nA(在30V时)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOD-523
LMBD2838LT1H 的主要特性之一是其低正向压降,通常在150mA电流下仅为0.35V,这有助于降低功耗并提高能效。
其次,该二极管具有快速的开关速度,几乎可以忽略反向恢复时间(trr),这使其非常适合用于高频整流和开关电源应用。
此外,LMBD2838LT1H 具有良好的热稳定性和较高的可靠性,能够在高温环境下稳定工作,适用于汽车电子、消费类电子和工业控制等应用。
其SOD-523封装形式不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,还具备良好的散热性能,确保器件在高电流下的稳定性。
该器件符合RoHS标准,支持无铅工艺,适用于环保型电子产品设计。
LMBD2838LT1H 主要应用于需要高效、高频整流的场合,例如便携式电子设备中的DC-DC转换器和电源管理系统。
在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、LED照明驱动电路以及车身控制模块中的整流和保护电路。
由于其低正向压降和快速恢复特性,LMBD2838LT1H 也广泛用于开关电源(SMPS)和电池充电器中,以提高整体能效。
此外,该二极管还可用于信号检波、电压钳位和逻辑电平转换电路中,适用于通信设备、音频设备和传感器接口电路。
在消费类电子产品中,LMBD2838LT1H 常用于USB电源管理、无线充电模块以及移动设备的电池保护电路中。
LMBD2838LT1G, MBD2838ALT1G, 1N5819, BAS70-05