晶体管类型：双NPN晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23-6

LMBD2835LT1G的主要特性包括其高集成度和紧凑的SOT-23-6封装形式，使得该器件非常适合用于空间受限的便携式设备中。其内部两个NPN晶体管具有良好的匹配性，适用于需要对称设计的电路结构。此外，该晶体管的高电流增益（hFE）范围使其能够在多种工作条件下保持稳定的放大性能。
　　器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类应用环境。LMBD2835LT1G的低饱和电压（VCE(sat)）特性有助于降低功耗并提高效率，适用于电池供电设备的设计。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，适用于对环保要求较高的产品设计。

LMBD2835LT1G广泛应用于各类电子电路中，包括信号放大器、开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、传感器接口以及微控制器外围电路等。由于其两个晶体管集成在一个封装中，因此特别适合需要多个晶体管协同工作的电路设计，例如推挽放大器、达林顿对管配置以及H桥驱动电路。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，LMBD2835LT1G常用于电源管理、信号调理和接口控制等模块。在工业控制系统中，该器件可用于继电器驱动、电机控制和数据采集系统等应用。

LMBT2369LT1G, LMBT3904LT1G, BC847B, BC817