您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HMF325B7223MNHT

HMF325B7223MNHT 发布时间 时间:2025/7/4 19:58:35 查看 阅读:13

HMF325B7223MNHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点,适用于各类电源管理场景。
  此型号属于 N 沟道增强型 MOSFET 类别,广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等电路中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:40A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  总栅极电荷:85nC
  开关速度:10ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

HMF325B7223MNHT 具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关能力使其非常适合高频开关应用,减少电磁干扰并提高动态响应性能。
  3. 高度稳定的电气参数,在极端温度条件下仍能保持优异表现。
  4. 小巧的封装设计节省了 PCB 空间,同时增强了散热性能。
  5. 内置保护机制,如过流保护和热关断功能,提升了器件的可靠性与安全性。

应用

这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 各类电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)控制器。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统(BMS),用作充放电控制的关键元件。
  5. 通信基础设施中的高效电源模块。

替代型号

HMF325B7222MNHT, HMF320B7223MNHT, IRF3205

HMF325B7223MNHT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HMF325B7223MNHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥1.13056卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.083"(2.10mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-