LM3ZV3T1G是一种由ON Semiconductor生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压生成。齐纳二极管是一种特殊的二极管,当反向电压达到其标称的齐纳电压时,会发生齐纳击穿效应,从而在较宽的电流范围内保持相对稳定的电压。LM3ZV3T1G的齐纳电压为3.0V,适用于低电压调节和参考应用。该器件采用SOD-523封装,具有小尺寸、低功耗和高稳定性的特点,非常适合在便携式电子设备和精密电子系统中使用。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:3.0V
最大耗散功率:200mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOD-523
最大齐纳电流:100mA
最大反向漏电流(在一定电压下):100nA(典型值)
存储温度范围:-55°C 至 150°C
引脚数:2
LM3ZV3T1G作为一款齐纳二极管,具有良好的电压稳定性和温度稳定性,能够在反向击穿状态下维持一个恒定的电压值。其3.0V的齐纳电压非常适合用于低功耗系统的电压参考或调节电路。由于采用了先进的制造工艺,该器件具有较低的动态阻抗,这意味着在电流变化时电压波动非常小,从而提高了电路的稳定性。此外,LM3ZV3T1G还具有较快的响应时间,适用于需要快速调节电压的场合。
该齐纳二极管的SOD-523封装不仅体积小巧,适合在空间受限的PCB设计中使用,而且具有良好的热稳定性和机械强度。器件的最大功耗为200mW,在标准工作条件下能够满足大多数应用需求。其工作温度范围宽达-55°C至150°C,使其适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的环境。此外,该器件的反向漏电流非常低,通常在100nA以下,有助于减少不必要的功耗并提高电路的精度。
LM3ZV3T1G广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要提供稳定参考电压或进行电压调节的场景中。常见的应用包括电源管理电路、电压调节器、电池供电设备、传感器电路、模拟和数字电路中的参考电压源等。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,该器件可用于为ADC(模数转换器)或其他模拟电路提供稳定的参考电压。此外,它还可以用于过压保护电路中,作为限压元件以保护敏感的电子器件免受过高电压的影响。在工业自动化和控制系统中,LM3ZV3T1G也常用于信号调理和电平转换电路。
LM3ZV3.0T1G, BZX84C3V0, MMSZ4680T1G