时间：2025/7/19 0:53:23
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LM3429MHX/NOPB 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）推出的高压、高侧 N 沟道 MOSFET 控制器，专门设计用于驱动外部 MOSFET 以实现 DC-DC 升压（Boost）转换器、SEPIC（单端初级电感转换器）以及反激式（Flyback）电源拓扑。该控制器采用电流模式控制，具有宽输入电压范围（6V 至 100V），适用于多种工业和汽车电源应用。
封装类型：TSSOP-16
工作温度范围：-40°C 至 125°C
最大输入电压：100V
最小输入电压：6V
控制器类型：高侧 N 沟道 MOSFET 控制器
控制方法：电流模式控制
开关频率范围：50kHz 至 1MHz（可通过外部电阻调节）
输出电流能力：依赖外部 MOSFET
最大占空比：95%（典型值）
欠压锁定（UVLO）：可编程
过流保护：支持逐周期电流限制
驱动能力：1.5A 峰值栅极驱动电流
LM3429MHX/NOPB 具备多项先进特性，以提高电源系统的效率和可靠性。
首先，其宽输入电压范围（6V 至 100V）使其适用于多种电源拓扑，包括 Boost、SEPIC 和 Flyback 转换器，尤其适合高压输入的工业和汽车应用。
其次，该控制器采用电流模式控制架构，提供良好的线性调节和负载调节性能，同时支持逐周期电流限制功能，从而实现更精确的过流保护。该功能可防止在负载突变或短路情况下对 MOSFET 和其他电路元件造成损坏。
此外，LM3429MHX/NOPB 提供可编程开关频率（50kHz 至 1MHz），允许设计者根据具体应用需求优化效率和外部元件尺寸。其高侧驱动器设计能够高效驱动 N 沟道 MOSFET，减少导通和关断损耗，从而提高整体转换效率。
该器件还具备欠压锁定（UVLO）功能，用户可通过外部电阻分压器设定输入电压的启动和关断阈值，以确保系统在输入电压不足时不会启动，避免不稳定运行。
另外，LM3429MHX/NOPB 还集成了软启动功能，以减少启动时的浪涌电流，并具有热关断保护，以防止因过热导致的器件损坏。这些保护功能使得该控制器在恶劣环境中依然能够稳定工作。
最后，该控制器采用小型 TSSOP-16 封装，有助于节省 PCB 空间，适用于紧凑型电源设计。
LM3429MHX/NOPB 广泛应用于需要高输入电压或宽电压范围的电源系统中。典型应用包括工业电源、汽车电子系统、LED 驱动器、高压电池管理系统、分布式电源架构（如中间总线转换器）等。其高侧 N 沟道 MOSFET 控制架构特别适合用于 Boost、SEPIC 和 Flyback 等拓扑结构的设计。此外，该器件还可用于太阳能逆变器、电信电源、测试设备和医疗电子设备中的高压电源转换模块。
LM5030MHX/NOPB, LM3488MHX/NOPB, NCP1271ADR2G
