LM18200 时间：2025/7/26 17:32:02 阅读：7

LM18200是由美国国家半导体（National Semiconductor，现为TI德州仪器）生产的一款高压、高电流MOSFET驱动器集成电路，专为驱动N沟道功率MOSFET设计。该芯片常用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及开关电源（SMPS）等应用。LM18200具备高驱动能力和良好的热稳定性，能够提供高达2A的峰值驱动电流，适用于需要快速开关和高效率的场合。其封装形式为16引脚SOIC或16引脚PDIP，适合工业级温度范围。

参数

工作电压：4.5V 至 20V
　　输出峰值电流：2A
　　传播延迟：典型值10ns
　　上升/下降时间：典型值5ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：16-SOIC，16-PDIP

特性

LM18200的主要特性之一是其高驱动能力，能够快速驱动大功率MOSFET，从而减少开关损耗并提高系统效率。该芯片的传播延迟非常低，典型值为10ns，使其适用于高频开关应用，如同步整流、谐振转换器和推挽式拓扑。
　　此外，LM18200具备良好的抗干扰能力，在高噪声环境中也能稳定工作。其输入端具有施密特触发器功能，提高了抗噪性能，并确保输入信号的稳定性。输出端具有低输出阻抗，能够有效降低导通压降，提升MOSFET的导通性能。
　　该芯片还内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，会自动关闭输出，防止MOSFET工作在非理想状态，从而避免器件损坏或效率下降。
　　LM18200采用热增强型封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其封装形式包括16引脚SOIC和16引脚PDIP，方便在多种PCB布局中使用。

应用

LM18200广泛应用于各类电源系统中，特别是在需要高效率、高频开关的场合。例如，在DC-DC转换器中，LM18200用于驱动同步整流MOSFET，提高转换效率并降低功耗；在电机驱动电路中，作为H桥MOSFET的驱动器，实现快速响应和精确控制；在开关电源（SMPS）中，用于驱动主功率MOSFET，确保稳定可靠的开关性能。
　　此外，该芯片也适用于LED驱动、电池充电器、工业自动化控制系统以及汽车电子系统中的功率管理模块。由于其高耐压和高电流能力，LM18200在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率转换系统中也有一定的应用前景。