LM-NTR5103NT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率转换器芯片,专为高频、高功率密度的应用设计。该芯片集成了先进的驱动和保护功能,适用于开关电源、DC-DC 转换器以及工业级电力电子设备。
这款芯片采用了增强型氮化镓晶体管技术,具备低导通电阻和快速开关性能,能够显著提高系统效率并降低热损耗。此外,其紧凑的封装形式和高度集成的设计使得它非常适合对尺寸和重量有严格要求的应用场景。
型号:LM-NTR5103NT1G
封装形式:QFN 8x8mm
额定电压:600V
额定电流:2A
导通电阻:120mΩ(典型值)
开关频率:最高支持 5MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
栅极驱动电压:4.5V 至 5.5V
静态功耗:小于 1μA(关断状态)
LM-NTR5103NT1G 具备以下关键特性:
1. 氮化镓 (GaN) 技术提供卓越的高频性能和低导通损耗。
2. 高度集成的驱动电路减少了外围元件数量,简化了设计复杂性。
3. 内置过流保护、过温保护及欠压锁定功能,提升了系统的可靠性。
4. 支持高达 5MHz 的开关频率,可有效减小磁性元件体积。
5. 小巧的 QFN 封装使其适合空间受限的应用环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接加工。
LM-NTR5103NT1G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的高效 DC-DC 转换。
2. 工业自动化设备中的电源管理模块。
3. 通信基站中的高效率功率变换电路。
4. LED 照明驱动器以实现更高的功率密度。
5. 快速充电适配器和其他消费类电子产品。
6. 新能源汽车充电桩中的高频功率变换部分。
LM-GAN021P80K
NTR4G202NA
IRGB4078DPBF