LM-MMBF170-7-F是一款基于表面贴装技术(SMD)的低噪声放大器(LNA),主要用于射频和微波通信系统。该器件采用增强型硅锗(SiGe)工艺制造,具有高增益、低噪声系数以及宽频带特性。它适用于无线通信设备、雷达系统、卫星通信等高频应用领域。
LM-MMBF170-7-F内部集成了偏置电路,简化了设计并减少了外部元件的数量,从而降低了整体解决方案的成本和复杂度。此外,其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计。
型号:LM-MMBF170-7-F
工作频率范围:0.5 GHz - 6 GHz
增益:17 dB
噪声系数:1.2 dB
输入回波损耗:12 dB
输出回波损耗:15 dB
电源电压:3.3 V
静态电流:40 mA
封装类型:SOT-89
1. 高性能:
LM-MMBF170-7-F在宽频带范围内表现出卓越的性能,包括高增益和极低的噪声系数,确保信号质量。
2. 稳定性:
内置偏置网络提供了稳定的直流操作点,消除了对外部调节电路的需求,增强了系统的可靠性。
3. 小尺寸:
采用SOT-89封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。
4. 易于使用:
由于其简单的设计要求,工程师可以快速集成到现有系统中,同时保持优异的电气性能。
5. 应用广泛:
适用于各种射频前端模块,如基站、蜂窝网络设备、物联网终端等。
LM-MMBF170-7-F适用于以下领域:
1. 无线通信:
包括移动通信基站、小基站和Wi-Fi接入点等。
2. 雷达系统:
用于地面、机载或舰载雷达中的信号放大。
3. 卫星通信:
支持低噪声接收链路,提高信号完整性。
4. 工业自动化:
为远程传感器和数据采集单元提供可靠的射频接口。
5. 消费电子:
例如智能音箱、智能家居网关等需要高性能射频功能的产品。
LM-MMBF170-6-F
MMBF170
MGA-634P8E