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FQP44N08 发布时间 时间:2025/6/28 15:07:52 查看 阅读:8

FQP44N08是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供优异的性能。
  这款MOSFET的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中能够减少功耗并提高效率。同时,FQP44N08具备良好的栅极电荷特性,有助于降低开关损耗。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:25mΩ
  栅极电荷:9nC
  输入电容:640pF
  总功耗:1.7W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在不同工作条件下均能保持高效运行。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
  4. 小尺寸封装(DPAK或TO-252),节省PCB空间。
  5. 提供了出色的抗雪崩能力和抗静电能力(ESD保护)。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源中的功率转换模块。
  2. DC-DC转换器中的主开关管。
  3. 电机驱动电路中的驱动元件。
  4. LED照明系统的恒流控制。
  5. 各类电池管理系统中的充放电管理。
  6. 消费类电子产品中的负载切换开关。

替代型号

IRFZ44N, STP45NF06L, FDPF44N08

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FQP44N08参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C34 毫欧 @ 22A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1430pF @ 25V
  • 功率 - 最大127W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件