FQP44N08是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频工作条件下提供优异的性能。
这款MOSFET的主要特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中能够减少功耗并提高效率。同时,FQP44N08具备良好的栅极电荷特性,有助于降低开关损耗。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:13A
导通电阻:25mΩ
栅极电荷:9nC
输入电容:640pF
总功耗:1.7W
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在不同工作条件下均能保持高效运行。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
4. 小尺寸封装(DPAK或TO-252),节省PCB空间。
5. 提供了出色的抗雪崩能力和抗静电能力(ESD保护)。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源中的功率转换模块。
2. DC-DC转换器中的主开关管。
3. 电机驱动电路中的驱动元件。
4. LED照明系统的恒流控制。
5. 各类电池管理系统中的充放电管理。
6. 消费类电子产品中的负载切换开关。
IRFZ44N, STP45NF06L, FDPF44N08