时间：2025/10/7 6:51:05
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LLQ1K682MHSB是一款由松下（Panasonic）公司生产的高性能多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于松下LLQ系列，专为高电容密度、低等效串联电阻（ESR）和高可靠性应用而设计。该电容器的标称电容值为6800pF（即6.8nF），额定电压为1kV（1000V），电容公差为±20%（M级），采用独特的高压封装结构，确保在高电压环境下稳定运行。其型号中的'HSB'通常代表特定的尺寸与端接结构，适用于自动贴装工艺，适合现代高密度PCB布局。LLQ1K682MHSB广泛应用于工业电源、医疗设备、激光系统、通信基站以及需要承受瞬态高压的电路中，如滤波、耦合、去耦和能量存储等场景。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺。其稳定的电气性能和优异的温度特性使其成为高压、高可靠性电子系统中的理想选择。
电容值：6800pF (6.8nF)
额定电压：1000V DC
电容公差：±20%
温度特性：X7R (±15% from -55°C to +125°C)
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
封装尺寸：1812 (4532 公制)
直流耐压：1000V DC
绝缘电阻：≥100GΩ 或 R×C ≥ 1000S（取较大值）
等效串联电阻（ESR）：典型值低于100mΩ（频率相关）
等效串联电感（ESL）：极低，适合高频应用
介质材料：陶瓷（Class II, X7R）
端接类型：贵金属电极，适合高可靠焊接
安装方式：表面贴装（SMD）
LLQ1K682MHSB具备卓越的高压稳定性和长期可靠性，其核心优势在于在1kV额定电压下仍能保持较高的有效电容输出。由于采用了先进的X7R陶瓷介质材料，该电容器在-55°C至+125°C的宽温度范围内电容变化率控制在±15%以内，远优于一般Y5V或Z5U类介质，非常适合对温度稳定性要求较高的工业与医疗设备。其1812（4532）封装在同类高压产品中具有较高的体积效率，能够在有限空间内实现大容量高压储能。
该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频开关电源和脉冲电路中表现出色，有效减少发热并提升系统效率。此外，其优异的绝缘电阻（≥100GΩ）确保了在高阻抗电路中的漏电流极小，适用于精密测量和高阻抗耦合应用。LLQ1K682MHSB通过了严格的耐久性测试，包括高温寿命测试、温度循环测试和耐湿性测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
松下LLQ系列还特别优化了机械强度和抗热冲击能力，能够承受多次回流焊过程而不产生微裂纹，提升了生产良率。其端电极采用三层金属化结构（Ni/Sn或Ag/Pd/Ni），增强了焊接可靠性和耐腐蚀性，适合在高湿度、高振动环境中长期运行。此外，该器件具有良好的自愈特性，在局部介质击穿时能限制故障扩散，提高了整体系统的安全性。这些综合特性使LLQ1K682MHSB成为高压、高可靠性应用中的首选MLCC之一。
LLQ1K682MHSB广泛应用于需要高电压等级和稳定电容性能的电子系统中。在工业领域，常用于开关模式电源（SMPS）中的高压滤波和缓冲电路，特别是在PFC（功率因数校正）级和DC-Link环节中，用于吸收电压尖峰和稳定母线电压。在医疗设备如X光机、CT扫描仪和电外科设备中，该电容器用于高压脉冲生成和能量存储，确保治疗过程的安全与精确。
在通信基础设施中，LLQ1K682MHSB被用于基站射频模块的耦合与去耦电路，其低ESR和高耐压特性有助于提升信号完整性和系统效率。此外，在激光驱动器、光电传感器和高压电源模块中，该器件作为关键的储能和滤波元件，能够承受快速电压变化和重复脉冲负载。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，该电容器可用于直流侧滤波，抑制高频噪声并提高系统EMI性能。同时，由于其符合AEC-Q200等可靠性标准（视具体批次而定），也可用于汽车电子中的高压辅助电源系统。其紧凑的SMD封装便于自动化生产，适用于大批量制造场景。
GRM45GC71H682KA16D
CL21B682MBANNNC
C322C682M1G5V
