时间：2025/6/19 3:15:36
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GA1812A332GBBAT31G是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率芯片，主要用于电源管理和快速充电领域。该芯片结合了先进的封装技术和高频开关性能，可显著提高转换效率并减小整体解决方案的尺寸。其设计旨在满足现代消费类电子产品和工业设备对高性能、高密度电源的需求。
型号：GA1812A332GBBAT31G
类型：GaN功率晶体管
最大漏源电压(VDS)：650V
连续漏极电流(ID)：14A
导通电阻(RDS(on))：33mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：LFPAK88
GA1812A332GBBAT31G采用了增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）技术，具备低导通电阻和低栅极电荷的特点，从而实现更高的开关频率和更低的开关损耗。
该芯片支持硬开关和软开关拓扑结构，如PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器等应用。
此外，它具有快速的开关速度和出色的热性能，使其非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
内置的保护功能包括过温关断和静电放电保护（ESD），进一步提升了产品的可靠性和耐用性。
GA1812A332GBBAT31G广泛应用于快充适配器、USB-PD充电器、服务器电源、通信电源以及各类工业电源系统中。
在消费电子领域，它被用来设计更轻便、更高效的移动设备充电解决方案。
同时，它也适用于新能源汽车的车载充电器（OBC）和充电桩等领域，助力绿色能源转型。
GAN063-650WSA
GAN1812B330HS-G
PSMN0R9-60YLK
