LLL152D80E105ME24D是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效能功率管理的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低能耗并提高系统效率。
型号:LLL152D80E105ME24D
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压(Vds):80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):152A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):105nC
工作温度范围:-55℃至175℃
功耗:360W
LLL152D80E105ME24D具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少导通损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
3. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下长期可靠运行。
4. 强大的过流能力和鲁棒性,确保在异常工况下的安全性。
5. 紧凑的封装设计,有助于缩小整体电路板尺寸。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境。
LLL152D80E105ME24D广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),用于实现高效的能量转换。
2. DC-DC转换器,提供稳定的直流电压输出。
3. 电机驱动,控制大功率电机的启停与调速。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)及逆变器。
6. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
IRFP260N
STP150N10
FDP152N80B