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LL55C15V 发布时间 时间:2025/5/27 9:56:37 查看 阅读:10

LL55C15V是一种用于功率转换和电源管理的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业电子设备中。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,适合于高频开关应用。
  LL55C15V的设计使其能够在高压条件下提供高效的功率传输,并且具备良好的热性能以确保在高负载条件下的稳定性。

参数

最大漏源极电压:700V
  最大栅源极电压:±20V
  连续漏极电流:4.3A
  导通电阻(典型值):4.8Ω
  总栅极电荷:28nC
  输入电容:600pF
  输出电容:450pF
  反向恢复时间:75ns
  工作结温范围:-55°C至+150°C

特性

LL55C15V采用了先进的制造工艺,具有以下显著特点:
  1. 高耐压能力:其700V的额定电压使得该器件非常适合高压环境的应用场景。
  2. 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷和反向恢复时间,能够有效减少开关损耗并提高效率。
  3. 低导通电阻:有助于降低传导损耗,从而提升整体系统效率。
  4. 稳定的热性能:即使在高温环境下也能保持稳定的运行状态。
  5. 小型化封装:占用更少的PCB空间,方便设计布局。

应用

LL55C15V主要应用于需要高效功率转换和控制的领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 能量管理系统
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统中的辅助功能模块
  这种器件特别适用于要求高效率、高可靠性和紧凑设计的应用场景。

替代型号

STP70NF70
  IRF7414
  FQA6N70E

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