IRFB59N10D 时间：2025/12/26 18:31:14 阅读：7

IRFB59N10D是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率开关系统中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。IRFB59N10D的额定电压为100V，最大连续漏极电流可达52A，适合在大电流、高功率密度的环境中工作。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装于散热片上以增强热管理能力。这款MOSFET特别适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动、逆变器以及电池管理系统等应用场合。由于其优化的栅极电荷特性，能够显著降低开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件还具备出色的抗雪崩能力和坚固的可靠性设计，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。IRFB59N10D符合RoHS环保标准，并通过了工业级认证，适用于工业控制、汽车电子和可再生能源系统等多种领域。

参数

型号：IRFB59N10D
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：100V
　　连续漏极电流ID：52A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：210A
　　导通电阻RDS(on)：17.5mΩ @ VGS=10V, ID=26A
　　栅源阈值电压VGS(th)：2.1V ~ 4V
　　栅极电荷Qg：83nC @ VGS=10V
　　输入电容Ciss：2800pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间trr：48ns
　　最大功耗PD：200W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

IRFB59N10D采用了英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构在实现低导通电阻的同时，还能有效提升器件的开关性能。其典型的导通电阻仅为17.5mΩ，在高电流负载下能显著减少传导损耗，从而提高电源系统的整体效率。该MOSFET的栅极电荷Qg为83nC，较低的栅极电荷意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。同时，其输入电容Ciss为2800pF，在高频工作条件下表现出良好的动态响应能力。
　　该器件具备出色的热稳定性与安全工作区（SOA），能够在瞬态过载或短路情况下维持可靠运行。其最大结温可达+175°C，表明其在高温环境下仍具备良好的耐受能力，适用于紧凑型高功率密度设计。此外，IRFB59N10D具有较低的反向恢复电荷Qrr和48ns的反向恢复时间trr，这使其在同步整流和半桥/全桥拓扑中表现出色，能有效抑制体二极管反向恢复带来的电压尖峰和电磁干扰问题。
　　在可靠性方面，IRFB59N10D经过严格的生产测试和质量控制流程，具备优异的抗雪崩能量承受能力，能够在意外电压过冲时保护自身不受损坏。这一特性对于电机驱动和感性负载切换等应用场景尤为重要。其TO-220AB封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还支持便捷的散热安装方式，可通过螺钉或夹具固定于大型散热器上，确保长时间高负载运行下的温度可控。总体而言，IRFB59N10D是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率、热管理和长期稳定性有严苛要求的应用场景。

应用

IRFB59N10D广泛应用于多种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常用于初级侧开关或次级侧同步整流电路，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著提升转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，无论是升压、降压还是升降压拓扑结构，该器件都能胜任高频率、大电流的工作需求，适用于车载电源、太阳能充电控制器和便携式储能设备。
　　在电机驱动方面，IRFB59N10D可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，作为主开关元件实现精确的相位控制和能量回馈。其快速的开关响应能力和高电流承载能力确保了电机运行的平稳性和动态响应速度。此外，在逆变器系统中，如光伏并网逆变器或UPS不间断电源中，该MOSFET可作为桥臂开关使用，配合其他功率器件完成直流转交流的能量变换过程。
　　在电池管理系统（BMS）和电动工具中，IRFB59N10D也常被用作主功率开关，用于控制电池充放电回路或实现负载切换。其高耐压和强抗浪涌能力使其在电池短路或突加载等异常工况下仍能保持系统安全。此外，该器件还可用于LED驱动电源、电焊机电源模块以及各类工业自动化控制设备中的功率切换环节，展现出广泛的适用性和高度的系统兼容性。