时间：2025/10/6 23:20:40
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LKG1J821MESYBK 是由松下（Panasonic）公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于表面贴装型电容器，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、信号滤波、旁路和噪声抑制等电路功能。该型号的命名遵循了松下电容器的标准化编码体系，通过型号可以解析出其关键电气和物理特性，如电容值、额定电压、温度特性、尺寸和端接类型等。LKG1J821MESYBK 采用小型化0603（公制1608）封装，适合高密度PCB布局，并具备良好的高频响应特性和稳定性。该电容器基于X7R或类似温度系数的介电材料制造，能够在较宽的温度范围内保持电容值的稳定，适用于消费电子、工业控制、通信设备及便携式电子产品等领域。由于其无铅端接结构并符合RoHS环保标准，因此也满足现代绿色电子产品的设计要求。
电容值：820pF
容差：±20%
额定电压：630V dc
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
外壳尺寸：0603（1608 公制）
尺寸（长×宽×高）：1.6mm × 0.8mm × 0.8mm
端接类型：金属化端面电极（Ni/Sn镀层）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
直流电阻（DCR）：低至几毫欧级别
自谐振频率（SRF）：典型值在数百MHz范围
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100GΩ·μF
最大纹波电流：依据应用条件而定
电容老化特性：≤2.5%每十倍频程（典型X7R材料特性）
LKG1J821MESYBK 是一款高性能的多层陶瓷电容器，具备优异的电压耐受能力和稳定的温度性能。其额定电压高达630V dc，在0603小型封装中实现了高压应用的兼容性，适用于需要高绝缘强度和可靠性的电源管理电路。该电容器采用X7R类高介电常数陶瓷材料，确保在-55°C至+125°C的宽温度范围内电容值变化控制在±15%以内，显著优于通用Y5V等材料，适合对稳定性要求较高的模拟和射频电路。
该器件具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），使其在高频环境下仍能保持良好的去耦和滤波性能。即使在开关电源、DC-DC转换器或逆变器等高频噪声环境中，也能有效抑制电压波动和电磁干扰。此外，其紧凑的0603封装形式有助于节省PCB空间，提升系统集成度，特别适用于移动设备、嵌入式模块和高密度板级设计。
LKG1J821MESYBK 的端电极为镍/锡（Ni/Sn）镀层结构，具备良好的可焊性和抗迁移能力，支持回流焊接工艺，并符合无铅焊接标准。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TCT）和耐久性试验，确保在恶劣环境下的长期稳定性。其电容老化率较低，通常每十倍频程时间仅下降约2.5%，便于系统进行长期性能补偿设计。
此外，该电容器具有非极性特性，可在交流信号路径中安全使用，广泛用于耦合、旁路和滤波应用。由于其高绝缘电阻和低漏电流特性，也可用于高阻抗电路和精密定时网络中。整体而言，LKG1J821MESYBK 在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是工业级和高端消费类电子设计中的优选元件之一。
LKG1J821MESYBK 多层陶瓷电容器广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要高压稳定性和小型化设计的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS）中的输入/输出滤波电容，用于平滑电压波动并抑制高频噪声；在DC-DC转换器中作为去耦电容，为IC提供稳定的局部电源，减少电源线上的瞬态干扰。
该器件也常用于逆变器、电机驱动器和电源适配器等工业电源模块中，承担高压旁路和EMI滤波功能。由于其630V的额定电压，适合用于400V及以上母线电压系统的次级侧滤波，能够承受瞬时过压而不发生击穿或性能退化。
在通信设备中，LKG1J821MESYBK 可用于射频放大器的偏置电路旁路、PLL环路滤波器或阻抗匹配网络，凭借其稳定的电容值和低损耗特性，确保信号通路的完整性。此外，在医疗电子、测试测量仪器和汽车电子控制系统中，该电容器因其高可靠性和温度稳定性而被用于精密模拟前端和传感器接口电路。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居控制器等，也广泛采用此类高压小容量电容，用于摄像头模组、闪光灯驱动电路或LCD背光升压电路中的高压储能与滤波。其小型0603封装适应自动化贴片生产流程，提升了制造效率和产品一致性。
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"GRM1887U1J821KA01D",
"C1608X7R1J821K080AE",
"CL21A821KPANNNC",
"TC3216X7R1J821K50B"
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