LISS400T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的射频晶体管。该器件主要用于射频功率放大器应用,适用于无线通信基础设施、广播设备和工业控制系统等领域。LISS400T1G 采用了先进的制造工艺,具有高功率处理能力和良好的线性性能,使其在高频和高功率应用中表现出色。
类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(VCEO):40 V
最大集电极电流(IC):1.0 A
最大功耗(PD):30 W
频率范围:DC 至 500 MHz
增益带宽积(fT):250 MHz
封装类型:TO-220AB
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LISS400T1G 是一款专为高频和高功率应用设计的 NPN 型射频晶体管,具有出色的性能和可靠性。其主要特点之一是能够在高达 500 MHz 的频率范围内工作,适用于多种射频放大器设计。该晶体管的最大集电极-发射极电压为 40 V,能够承受较高的电压应力,适用于高功率输出的应用场景。
此外,LISS400T1G 的最大集电极电流为 1.0 A,最大功耗为 30 W,能够在高功率条件下稳定运行。该器件的增益带宽积(fT)为 250 MHz,提供了良好的增益特性,适用于需要高线性度和低失真的射频功率放大器设计。
LISS400T1G 采用 TO-220AB 封装形式,具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,提高器件的可靠性和使用寿命。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
在射频功率放大器中,LISS400T1G 能够提供稳定的输出功率和高效率,特别适用于 AM、FM 和 TV 广播发射器、蜂窝基站、工业加热设备等应用。该晶体管的设计使其能够在高负载条件下保持良好的线性性能,减少信号失真并提高整体系统性能。
LISS400T1G 主要用于射频功率放大器的设计,广泛应用于无线通信基础设施、广播发射设备和工业控制系统等领域。在蜂窝基站中,该晶体管可用于功率放大器模块,提供高线性度和高效率的信号放大功能。在 AM、FM 和 TV 广播设备中,LISS400T1G 能够作为主功率放大器,提供稳定的输出功率和良好的频率响应。此外,该器件还可用于工业加热设备、测试仪器和射频信号发生器等应用,提供可靠的射频功率放大解决方案。
MRF151G, BLF177, MRFE6VP61K25H, 2N5179