LISS400T1G 时间：2025/8/13 15:23:48 阅读：25

LISS400T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的射频晶体管。该器件主要用于射频功率放大器应用，适用于无线通信基础设施、广播设备和工业控制系统等领域。LISS400T1G 采用了先进的制造工艺，具有高功率处理能力和良好的线性性能，使其在高频和高功率应用中表现出色。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40 V
　　最大集电极电流（IC）：1.0 A
　　最大功耗（PD）：30 W
　　频率范围：DC 至 500 MHz
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　封装类型：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LISS400T1G 是一款专为高频和高功率应用设计的 NPN 型射频晶体管，具有出色的性能和可靠性。其主要特点之一是能够在高达 500 MHz 的频率范围内工作，适用于多种射频放大器设计。该晶体管的最大集电极-发射极电压为 40 V，能够承受较高的电压应力，适用于高功率输出的应用场景。
　　此外，LISS400T1G 的最大集电极电流为 1.0 A，最大功耗为 30 W，能够在高功率条件下稳定运行。该器件的增益带宽积（fT）为 250 MHz，提供了良好的增益特性，适用于需要高线性度和低失真的射频功率放大器设计。
　　LISS400T1G 采用 TO-220AB 封装形式，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性和使用寿命。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。
　　在射频功率放大器中，LISS400T1G 能够提供稳定的输出功率和高效率，特别适用于 AM、FM 和 TV 广播发射器、蜂窝基站、工业加热设备等应用。该晶体管的设计使其能够在高负载条件下保持良好的线性性能，减少信号失真并提高整体系统性能。

应用

LISS400T1G 主要用于射频功率放大器的设计，广泛应用于无线通信基础设施、广播发射设备和工业控制系统等领域。在蜂窝基站中，该晶体管可用于功率放大器模块，提供高线性度和高效率的信号放大功能。在 AM、FM 和 TV 广播设备中，LISS400T1G 能够作为主功率放大器，提供稳定的输出功率和良好的频率响应。此外，该器件还可用于工业加热设备、测试仪器和射频信号发生器等应用，提供可靠的射频功率放大解决方案。