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GA0603H392JXBAC31G 发布时间 时间:2025/6/4 18:47:57 查看 阅读:5

GA0603H392JXBAC31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用了先进的沟槽式工艺技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,同时具备出色的热稳定性和可靠性。这种器件非常适合需要高效率和快速开关的应用场景。
  该型号属于增强型N沟道MOSFET系列,支持高频率工作,并且其封装设计优化了散热性能,从而能够满足苛刻的工作环境需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关时间(典型值):7ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0603H392JXBAC31G 具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了高效率的能量转换。
  2. 快速的开关速度降低了开关损耗,提升了整体性能。
  3. 高额定电流使其能够胜任大功率应用场合。
  4. 优秀的热性能保证在高温条件下依然保持稳定性。
  5. 可靠性高,适用于工业级及汽车级应用场景。
  6. 小尺寸封装便于集成到紧凑型设计中。

应用

该功率MOSFET广泛用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 中的主开关元件。
  2. 各类 DC-DC 转换器中的同步整流或降压升压电路。
  3. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
  4. 新能源系统如太阳能逆变器、风力发电控制器等。
  5. 汽车电子领域,例如电动助力转向系统、电池管理系统 (BMS) 等。

替代型号

IRFZ44N
  FDP170N06L
  STP36NF06L

GA0603H392JXBAC31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3900 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-