类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.8mΩ（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大功率耗散（Pd）：约300W（取决于散热条件）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装类型：TO-247或类似高功率封装

LHVC200A 具备低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高压耐受能力和高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
　　此外，LHVC200A具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸和成本。其栅极驱动设计优化，降低了开关损耗并提高了系统的动态响应能力。
　　该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。采用高级硅片技术，确保了在极端工作条件下的稳定性和耐用性。
　　封装设计上，LHVC200A通常采用TO-247等高功率封装，便于安装在散热器上，提高散热效率，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。

LHVC200A 主要用于需要高电压和大电流处理能力的功率电子系统。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动器、电池充电器、太阳能逆变器以及电动汽车的车载充电系统等。
　　在电动汽车领域，LHVC200A可用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，提供高效能的功率转换解决方案。
　　在工业自动化控制中，该器件可用于高功率开关电路，实现对电机、加热元件或其他大功率负载的精确控制。
　　此外，LHVC200A也可用于高频开关电源设计，如服务器电源、电信设备电源和数据中心的高效能电源模块。

IXFH120N20P, APTF120N20B, STY120N20EK5