容量：128K位
　　组织结构：8K x 16位
　　访问时间：8.0 ns
　　电源电压：3.3V 或 5V（视具体版本而定）
　　封装形式：通常为52引脚SSOP或TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）
　　接口类型：异步SRAM
　　功耗：低功耗CMOS设计
　　最大工作频率：约125 MHz（取决于访问时间）

LHSP8128N-80 SRAM芯片具备多项显著特性，首先是其高速访问能力，8.0纳秒的访问时间使其适用于需要快速响应的系统，例如高速缓存或图形处理器的帧缓存。其次，该芯片支持3.3V或5V电源电压操作，具有良好的兼容性，可适应不同系统的电源设计需求。此外，该芯片采用低功耗CMOS技术，在高速运行的同时保持较低的功耗，有助于提高系统的能效。
　　其异步接口设计简化了与主控芯片（如DSP、FPGA或微处理器）的连接，无需复杂的时序控制逻辑。封装方面，LHSP8128N-80采用52引脚SSOP或TSOP封装，体积小巧且便于PCB布局。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在工业级温度范围内稳定运行，适用于严苛环境下的应用，如工业控制、通信设备和嵌入式系统。
　　另外，LHSP8128N-80具有较高的数据保持能力和较长的使用寿命，无需刷新机制，数据在供电状态下可长期保持不变，非常适合需要高可靠性的应用场景。

LHSP8128N-80 SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存取和可靠存储的系统中。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备中的数据缓冲器、工业控制设备中的临时数据存储、图像处理系统中的帧缓存以及数字信号处理器（DSP）的辅助存储器。此外，该芯片也常用于通信模块、测试仪器、医疗设备和自动化控制系统中，作为高速数据临时存储单元，提升系统整体响应速度和处理效率。

CY7C1041CV33-8VC
　　 IDT71V416S80B
　　 IS61LV1048-8TL
　　 AS7C31026A-8TCN
　　 M5M54816A-80PFP