时间：2025/9/14 3:58:08
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BAS21J115 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种电源管理和功率控制场合。该器件采用小型化的 SOT-457 封装，具有优异的热性能和电流承载能力。BAS21J115 专为需要高效率、高可靠性和低导通电阻的应用设计，适用于如 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制、电源管理模块等多种应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：300mA
导通电阻（RDS(on)）：最大 1.8Ω @ VGS=4.5V
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-457
BAS21J115 MOSFET 具备多项优异特性，使其在众多功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。该特性对于电池供电设备尤其重要，有助于延长电池寿命。
其次，BAS21J115 采用 SOT-457 小型封装，节省了电路板空间，同时具备良好的热性能，确保在高电流操作下的稳定性和可靠性。此外，其 20V 的漏源电压额定值使其能够适用于多种低压功率转换应用，包括 5V 和 12V 电源系统。
该器件还具备较高的抗静电能力（ESD），增强了其在复杂电磁环境中的稳定性。同时，其 ±8V 的栅源电压额定值提供了较高的栅极控制灵活性，允许使用多种驱动电路设计。
最后，BAS21J115 的双通道结构使其在单一封装中集成了两个独立的 MOSFET，减少了外围电路的复杂性，并提高了系统集成度。
BAS21J115 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种典型应用场景：电源管理系统中的负载开关控制、便携式电子设备的电池管理、DC-DC 转换器中的同步整流元件、LED 照明驱动电路、马达控制以及各种低电压功率开关应用。
由于其低导通电阻和小型封装，BAS21J115 特别适合用于空间受限但需要高效功率控制的设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于车身控制模块、车载娱乐系统和小型电动执行器的驱动电路中。
BAS21H115, 2N7002, BSS138, FDN302P
