类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　导通电阻（Rds(on)）：通常小于0.25Ω
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247

LHMV75TJ具有多项显著的技术特性，使其在高压和高功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（Vds为1000V）使其能够在高电压条件下稳定工作，同时具备良好的击穿保护能力。其次，该器件的导通电阻较低，通常小于0.25Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，LHMV75TJ的封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持稳定的温度控制。
　　该器件还具备较强的电流承载能力，最大漏极电流为75A，适用于大电流应用。LHMV75TJ的栅极电压范围为±20V，这为其提供了更宽的驱动电压选择，同时也增强了其在不同驱动电路中的适应性。其工作温度范围从-55°C到+150°C，确保了在极端环境条件下依然能够可靠运行。最后，LHMV75TJ具备良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的鲁棒性和可靠性。

LHMV75TJ广泛应用于多种高功率和高压系统中。例如，在工业电源系统中，该器件可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等电源管理电路，提供高效的能量转换。在电机控制领域，LHMV75TJ可以作为功率开关，用于控制直流电机或交流变频电机的运行，具备快速开关能力和低损耗特性。此外，该器件也常用于太阳能逆变器和储能系统，以实现高效的能量转换和管理。由于其高耐压和大电流能力，LHMV75TJ还可以用于电动汽车（EV）充电设备、电能质量调节设备以及智能电网相关应用。在这些系统中，它能够确保稳定的功率输出和高效的能量利用，同时提高系统的整体可靠性和安全性。

STF10N100M5, FGH40N100SMD, IXFH75N100Q