电容值：100 pF
　　额定电压：100 V DC
　　电容容差：±10%
　　温度特性：NP0/C0G
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（2.0 x 1.25 mm）
　　介质材料：陶瓷（C0G/NP0）
　　电极结构：Ni/Sn（镍/锡）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　老化率：≤0.1% / decade
　　绝缘电阻：≥10^11 Ω 或 5000 MΩ min（取较小值）
　　耐电压：1.5倍额定电压，1分钟无击穿或闪络
　　等效串联电阻（ESR）：极低（典型值在毫欧级，频率相关）
　　品质因数（Q值）：≥1000（典型值，1 MHz测试条件）
　　耗散因数（DF）：≤0.1%（典型值，1 MHz测试条件）

LHLP10NB101K采用C0G（NP0）陶瓷介质材料，这是目前最稳定的电容器介质之一，具备几乎零的电容随温度变化的漂移特性。其温度系数为0 ±30 ppm/°C，在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）电容值保持高度稳定，不会出现像X7R、Y5V等介质常见的容量下降问题。这种稳定性使其特别适用于振荡器、滤波器、谐振电路、射频匹配网络等对频率稳定性要求极高的应用场景。
　　C0G介质还具有极低的介电损耗，表现为极低的耗散因数（通常低于0.1%）和非常高的品质因数（Q值），这使得该电容器在高频工作条件下能量损耗极小，发热低，效率高。同时，由于其非铁电性介质结构，C0G电容器不表现出电压依赖性，即电容值在接近额定电压时也不会显著下降，这一点与高介电常数介质（如X7R）形成鲜明对比。
　　LHLP10NB101K采用镍/锡（Ni/Sn）端电极结构，增强了器件的可焊性和抗迁移能力，特别是在潮湿环境下表现更为可靠。该结构有助于防止银离子迁移导致的短路风险，提升长期使用的安全性。此外，该器件通过了AEC-Q200应力测试标准，证明其适用于汽车电子中的严苛环境，包括高温、振动和湿度循环等条件。
　　该电容器还具备良好的机械强度和热冲击耐受能力，能够承受回流焊工艺的高温过程而不损坏。其小尺寸（0805）封装有利于高密度PCB布局，同时仍保持足够的爬电距离和电气间隙以满足100V工作电压的要求。整体设计兼顾了高性能、高可靠性和可制造性，是工业与汽车级应用中的理想选择。

LHLP10NB101K因其出色的电气稳定性和可靠性，广泛应用于多种高性能电子系统中。在射频（RF）和无线通信领域，它常用于LC谐振电路、阻抗匹配网络、滤波器和振荡器中，作为关键的定时或调谐元件。由于其电容值不受温度、电压和时间影响，能够确保系统频率响应的一致性和长期稳定性，因此被大量用于基站模块、Wi-Fi模块、蓝牙设备和物联网（IoT）无线节点中。
　　在汽车电子方面，该器件可用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块（如雷达前端）、LED照明驱动电路和电源管理单元中。其AEC-Q200认证和宽温工作能力使其能够在极端气候条件下可靠运行，适应从寒冷地区到热带环境的各种使用场景。
　　在工业控制和测量仪器中，LHLP10NB101K用于精密模拟电路、ADC/DAC参考电路旁路、时钟生成电路去耦等场合。其低噪声和高稳定性有助于提高系统的测量精度和信号完整性。
　　此外，该电容器也适用于医疗电子设备、测试与测量仪器、安防监控系统以及高端消费类电子产品（如智能手机、平板电脑的射频前端模块）中，用于高频信号路径的耦合、去耦和滤波。由于其环保合规（RoHS兼容）且支持无铅焊接工艺，符合现代绿色制造的要求。

GRM21BR71H104KA01L
　　CC0805JRNPO9BN101
　　C2012C0G1H101J