时间：2025/12/27 10:12:23
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LHLC08TB682J是一款由Lizhuang Electronics（力壮电子）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于表面贴装技术（SMT）元件，广泛应用于各类消费类电子产品、工业控制设备以及通信系统中。该型号的电容器采用标准的0805封装尺寸（即公制2012），具备较高的体积效率，适合在高密度印刷电路板（PCB）布局中使用。该电容的标称电容值为6800pF（即6.8nF），容差为±5%（代号J），额定电压为50V DC。LHLC08TB682J采用X7R温度特性介质材料，这意味着其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%，具有良好的温度稳定性。该产品符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，适用于对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。由于其优异的高频特性和低等效串联电阻（ESR），该电容器常用于电源去耦、滤波、旁路和信号耦合等电路中。
电容值：6800pF (6.8nF)
容差：±5%
额定电压：50V DC
温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
封装尺寸：0805（英制），2012（公制）
长度：2.0mm ±0.2mm
宽度：1.2mm ±0.2mm
厚度：最大1.25mm
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
端电极结构：三层电极（Ni/Sn plated）
耐焊接热性：符合IEC 60068-2-59标准（3次回流焊，峰值260°C）
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 RC ≥ 500S（取较大值）
时间常数：≥5000S（室温下）
等效串联电阻（ESR）：典型值低于100mΩ（取决于频率）
自谐振频率（SRF）：约30MHz（具体依实际测量条件而定）
LHLC08TB682J所采用的X7R陶瓷介质赋予了其出色的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的宽温度范围内保持电容值的变化不超过±15%。这一特性使其非常适合用于环境温度波动较大的工业与汽车电子应用中。相较于Z5U或Y5V等其他介电材料，X7R在温度稳定性和介电常数之间实现了良好的平衡，既保证了足够的电容量，又避免了因温度变化导致的性能大幅偏移。
该电容器采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极（通常为镍或铜），实现高电容密度的同时降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），从而提升了高频响应能力。这种结构特别适用于高速数字电路中的去耦应用，能有效抑制电源噪声和电压波动，保障芯片稳定运行。
LHLC08TB682J的0805封装形式兼顾了焊接可靠性与空间利用率，支持自动化贴片生产，兼容主流SMT工艺流程。其端电极为三层电极结构（铜镍锡镀层），具备优良的可焊性和抗湿性，能够承受多次回流焊过程而不损坏，提高了组装良率和长期可靠性。
此外，该器件具有较低的电介质吸收率和良好的绝缘性能，适用于精密模拟信号路径中的耦合与滤波。其稳定的电气特性也使其可用于定时电路、振荡器旁路及射频匹配网络中。产品通过严格的寿命测试和加速老化试验，确保在长时间运行条件下电性能衰减最小，满足高可靠性系统的长期使用需求。
LHLC08TB682J因其良好的温度稳定性、适中的电容值和较高的额定电压，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理电路中，它常作为去耦电容并联于IC电源引脚附近，用以滤除高频噪声，稳定供电电压，尤其适用于微处理器、FPGA、ASIC等高速逻辑器件的电源轨去耦。
在模拟前端电路中，该电容可用于信号耦合与交流旁路，例如在运算放大器或ADC/DAC的输入输出路径中，实现直流阻断和交流信号传递，同时利用其低失真特性减少信号畸变。由于X7R材料的非线性较小，相比Y5V等材料更适合用于对线性度有一定要求的场合。
在射频与无线通信模块中，LHLC08TB682J可用于LC滤波网络、阻抗匹配电路或RF扼流圈的旁路电容，帮助提升信号完整性和传输效率。其自谐振频率较高（通常在数十MHz量级），可在中高频段有效发挥作用。
此外，该器件也常见于工业控制设备、汽车电子（如车身控制模块、传感器接口）、消费类电子产品（智能手机、平板电脑、智能家居设备）以及电源适配器和DC-DC转换器中，承担滤波、储能和平滑电压的功能。其符合RoHS指令且无铅兼容，适用于现代绿色电子产品制造标准。
GRM21BR71H682KA01L
CL21B682KBANNNC
C2012X7R1H682K
