时间：2025/8/28 5:40:57
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LHF00L14是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的技术，具备低导通电阻、高开关速度和优良的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。LHF00L14采用紧凑的封装形式，便于在PCB上布局，并有效减少空间占用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：200A（在Tc=25°C时）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.4mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
功耗（PD）：125W
LHF00L14的特性包括极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提供了优异的开关性能，能够有效减少开关过程中的能量损耗。此外，LHF00L14具有良好的热管理能力，能够在高功率密度环境下稳定运行，适用于高温工作条件。
LHF00L14的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，支持使用常见的驱动电路进行控制。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有良好的散热性能，适合用于需要紧凑设计的电路板布局。此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，能够在突发的电压或电流冲击下保持稳定运行，提高系统的可靠性。
该MOSFET还具有快速恢复二极管特性，适用于需要反向电流控制的应用。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）特性有助于减少开关时间，提高整体系统的响应速度。LHF00L14在过载和短路条件下具有较强的承受能力，可作为高可靠性开关元件使用。
LHF00L14广泛应用于多种高功率和高频开关场景，包括DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机驱动器、电池充电器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通特性和热管理能力使其成为汽车电子、新能源、工业控制和消费类电子产品中的理想选择。
STLHF00L14AG
