时间：2025/5/10 12:13:44
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ESD3V3D3B-TP 是一款高性能的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为保护电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过压瞬态影响而设计。该器件采用紧凑的 SOT-23-6 封装形式，适用于各种便携式和空间受限的应用场景。它具有低电容特性，能够有效保护高速数据线，同时保持信号完整性。
ESD3V3D3B-TP 提供双向保护功能，确保其能够在正负方向上均有效地抑制瞬态电压。此外，其出色的响应速度使得它可以迅速钳位瞬态电压，从而保护敏感的下游电路不受损害。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±12A
箝位电压：≤15V
电容：4pF（典型值）
响应时间：≤1ps
封装形式：SOT-23-6
ESD3V3D3B-TP 的主要特性包括：
1. 高度集成的 TVS 二极管阵列设计，提供多通道保护。
2. 极低的负载电容（4pF 典型值），非常适合高速数据线的保护。
3. 快速响应时间（≤1ps），能够及时抑制瞬态电压威胁。
4. 符合 IEC61000-4-2 国际标准，支持 ±15kV 接触放电和 ±15kV 空气放电防护。
5. 小巧的 SOT-23-6 封装，节省 PCB 空间，便于在小型化设备中使用。
6. 双向保护功能，可保护正负方向上的瞬态事件。
7. 无铅环保材料，符合 RoHS 标准，适合绿色制造需求。
ESD3V3D3B-TP 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的 USB、HDMI、DisplayPort 和其他高速接口保护。
2. 手机、平板电脑和笔记本电脑等移动设备的数据线保护。
3. 工业自动化设备中的控制信号线保护。
4. 医疗设备中的传感器信号线保护。
5. 通信设备中的射频信号线保护。
6. 汽车电子系统中的 CAN 总线和其他通信总线保护。
这款器件因其高效性和可靠性，在需要高密度布局和高速信号传输的应用中表现尤为突出。
ESD3V3D2B-TP, ESD3V3D4B-TP
