类型：PNP晶体管
　　封装：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LH8550QLT1G晶体管具有多项优异特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，其PNP结构和SOT-23封装提供了紧凑的设计，便于在小型化电路中使用。该晶体管的最大集电极-发射极电压为30V，能够承受较高的电压应力，同时最大集电极电流为100mA，适合中低功率应用。
　　其次，LH8550QLT1G的增益带宽积（fT）为100MHz，表明其在高频应用中表现良好，可用于射频（RF）和高速开关电路。此外，其直流电流增益（hFE）范围为110至800，具体值取决于工作电流，这使得晶体管在不同工作条件下都能保持良好的放大性能。
　　LH8550QLT1G的工作温度范围从-55°C到+150°C，确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。其最大功耗为300mW，确保在正常工作条件下不会因过热而损坏，同时也支持较高的稳定性。这些特性使LH8550QLT1G成为一种多功能的晶体管，适合广泛的应用场景。

LH8550QLT1G晶体管在电子设计中有着广泛的应用。首先，它常用于放大电路，如音频放大器和射频放大器，其高频特性和稳定的增益使其在信号放大方面表现出色。此外，LH8550QLT1G也适用于开关电路，例如数字电路中的晶体管开关，能够快速切换高阻态和低阻态，从而实现高效的电源管理。
　　由于其低功耗和小型化设计，LH8550QLT1G特别适合用于便携式电子产品，如手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源控制和信号处理电路。在汽车电子系统中，例如车载传感器和控制模块，该晶体管的宽工作温度范围和高可靠性使其成为理想选择。
　　此外，LH8550QLT1G还可用于逻辑门电路、电平转换电路以及LED驱动电路等应用。在这些应用中，其稳定的电流放大能力和低功耗特性有助于提高系统的整体效率和可靠性。

BC850, 2N3906, PN2907