类型：PNP双极型晶体管（BJT）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：-30V
　　最大集电极电流（IC）：-100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

LH8550PLT1G具备出色的电气特性和可靠性，适用于多种电子电路设计。其PNP结构使其能够在负电压条件下正常工作，非常适合用作开关或放大器。晶体管的最大集电极-发射极电压为-30V，能够支持较高的电压应用，而最大集电极电流为-100mA，适合中等电流需求的电路。此外，该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，表明其在高频应用中也具有良好的性能。
　　该器件的电流增益（hFE）范围为110-800，具体数值取决于工作电流和电压条件，这使得它可以根据不同的设计需求进行优化。LH8550PLT1G的封装形式为SOT-23，这是一种小型封装，适合在空间受限的电路板上使用，同时具备良好的热管理和电气性能。其最大功耗为300mW，能够在较高温度环境下稳定运行，最大工作温度可达150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。
　　由于其广泛的应用范围和良好的性能，LH8550PLT1G常用于电源管理、信号放大、逻辑电路以及各种嵌入式系统中。它的高性价比和易于采购的特点也使其成为工程师在设计中的首选晶体管之一。

LH8550PLT1G适用于多种电子电路设计，包括开关电路、放大电路、电源管理系统、逻辑控制电路等。由于其PNP特性，该晶体管常用于负电压电路中，例如在电源反转、电平转换和信号处理等领域。此外，它还广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备和汽车电子等领域的电路设计中。

BC850, 2N3906, MMBT8550, SS8550