输入电压范围：2.7V - 14V
　　输出电压范围：最高可达 28V
　　工作频率：可调频率（最高可达 1MHz）
　　驱动能力：高边 N 沟道 MOSFET 驱动器
　　最大占空比：90% 以上
　　电流限制方式：可编程电流限制
　　封装类型：16 引脚 TSSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

EL7600AES 具备多项高性能电源管理特性，能够满足复杂应用的需求。
　　首先，该芯片支持宽输入电压范围（2.7V 至 14V），使其适用于多种电源输入配置，包括单节或多节锂电池供电系统。这种宽输入范围也增强了其在不同负载条件下的适应性。
　　其次，EL7600AES 采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性，便于设计人员进行环路补偿。电流模式控制还支持多相操作，适用于高功率输出的设计需求。
　　该芯片内置高边 N 沟道 MOSFET 驱动器，支持外部功率 MOSFET 的高效驱动，提升了整体系统的效率。此外，其可编程的工作频率范围（最高可达 1MHz）允许设计人员在效率和外部元件尺寸之间进行优化，尤其适用于对体积要求较高的应用。
　　EL7600AES 还集成了多种保护功能，如过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP），以确保系统在异常情况下的稳定性和可靠性。此外，其软启动功能可有效抑制启动时的浪涌电流，避免对输入电源造成冲击。
　　最后，该芯片采用 16 引脚 TSSOP 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度 PCB 设计。

EL7600AES 适用于多种需要高效升压转换的应用场景。例如，在工业自动化设备中，它可以用于为传感器、执行器和控制系统提供稳定的高电压电源。在通信系统中，EL7600AES 可用于为射频功率放大器、光模块或其他高压组件供电。在便携式设备中，该芯片可用于将单节或双节锂电池电压升压至 LCD 显示屏、相机闪光灯或其他高压模块所需的工作电压。此外，它还可用于电池管理系统、测试与测量设备、LED 照明驱动器等需要高效、紧凑型升压转换器的场合。

LM51501MHX-NOPB, TPS43060EVM-863, LT3791-1, NCP1251BDR2G